Призначення розробки: Термодинаміка вирощування деформованих гетероструктур на основі твердих розчинів ZnCdTe призначена для використання в приладах реєстрації рентгенівського випромінювання та м’якої компоненти проникаючої радіації.

Рекомендована область застосування: Приладобудування. Розробка належить до галузі сучасного напівпровідникового матеріалознавства, а саме до розробки елементів сучасної високоточної, прецизійної технології отримання гетероструктур для приладів на основі твердих розчинів сполук А2В6.

Переваги перед аналогами: Патенто-, конкурентоспроможні результати, порівняння зі світовими аналогами: Термодинамічне та комп’ютерне моделювання технологічного процесу вирощування шарів у даній напівпровідниковій системі проводиться вперше. Тому такий спосіб вирішення проблеми буде конкурентоспроможним та патентоздатним. Даний спосіб вирішення вказаної проблеми запропоновано до реалізації в Україні вперше.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Техніко-економічний ефект: Економічна привабливість розробки для просування на ринок, впровадження та реалізації, показники, вартість: Запропоновані обчислювальні програми дозволять швидко та з високою вірогідністю прогнозувати умови кристалізації твердих розчинів з наперед заданими властивостями. Це призведе до економії дорогих вихідних матеріалів та скорочення часу впровадження знайдених умов кристалізації матеріалу в його виробництві, а найголовніше – відкриває можливість цілеспрямованого керування технологічним процесом формування заданих параметрів приладної структури. Такий підхід до пошуку режимів росту шарів є корисним як з економічної точки зору, так і з точки зору наукового розуміння проблеми.

Опис розробки:
()
В проекті запропоновано виконати термодинамічний аналіз процесу вирощування твердих розчинів системи ZnCdеTe на підкладках із CdTe. Плівка такого матеріалу товщиною декілька мікрон може бути активним середовищем, що реагує на рентгенівське випромінювання та наявність м’якої компоненти проникаючої радіації. Стан готовності розробок: Розроблені термодинамічні уявлення, що описують процес вирощування шарів твердих розчинів ZnCdTe з рідкої фази. Розроблене математичне забезпечення розв’язання задачі та отримані попередні результати. Ця частина роботи опублікована в провідних виданнях Української та Російської АН. Результати впровадження: Попередні результати застосовуються при виборі умов отримання епітаксійних шарів ZnCdTe в Інституті фізики напівпровідників НАН України (м. Київ).

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua