Призначення розробки: Метод формування наноутворень CDS у шпаристій матриці призначений для створення первинної сировини для пристроїв нанорозмірної оптоелектроніки.

Рекомендована область застосування: Підприємства оптоелектроніки, наукові лабораторії.

Технічна характеристика: Експериментально виявлено, що 8-ми разовий мікросинтез CdS при заниженні концентрації реагентів, у порівнянні із традиційною в 10 разів, дозволяє сформувати всередині матриці крупношпаристого скла (типу D) рівномірно розподілені за її товщиною наноутворення CdS із середнім діаметром близько 5 нм.

Переваги перед аналогами: Безпосередніх аналоґів розробленого методу в світі невідомо. Напівпровідникові наночастинки різного складу, про створення яких повідомляється в літературі, формуються традиційним способом в полімерах, желатині, золь-ґелевому склі і цеолітах. Для цих матеріалів типовою є певна пластичність, яка перешкоджає відтворюваності результатів через неможливість контрольованого обмеження розмірів частинок, що формуються. Використання багаторазового мікросинтезу у шпаристім склі дозволяє усунути зазначені вади.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Техніко-економічний ефект: Витрачення реагентів підчас багаторазового мікросинтезу у шпаристім склі не перевищує їхньої кількості, необхідної при використанні традиційного методу, а вартість матеріалу матриці суттєво нижча, ніж, наприклад, золь-ґелевого скла.

Опис розробки:
()
Традиційний метод синтезу CdS шляхом реакції іонів Cd2+ із газоподібним H2S є непридатним для формування наноутворень у шпаристій матриці, бо її поверхня швидко покривається плівкою CdS, яка, закорковуючи входи до шпарин, вадить проникненню туди реагентів. Для розв'язання проблеми пропонується здійснювати синтез при свідомо заниженій концентрації реагентів. Низька концентрація складових реакції не дозволить утворитися плівці на поверхні матриці, і частинки CdS молекулярних розмірів формуватимуться безпосередньо всередині шпарин. Повторення зазначеної процедури призведе до зростання розмірів частинок, що утворилися на попередньому етапі, бо це енергетично вигідніше, ніж виникнення нових формувань молекулярних розмірів. Отже, послідовно повторюючи такий мікросинтез слушну кількість разів, можна досягти необхідних розмірів кластерів CdS всередині матриці. Зростання розмірів кластерів обмежено зверху стінками шпарин, отже використання наношпаристої матриці забезпечить формування в ній наноутворень CdS.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua