Назначение разработки: Предложенный бесконтактный метод используется для определения рекомбинационных параметров носителей заряда, таких, как скорость поверхностной рекомбинации, время жизни и диффузионная длина носителей заряда в полупроводниках (п/п) с выводом результатов тестирования на внешние устройства в виде протоколов.

Рекомендуемая область применения: Метод используется в микроэлектронике при производстве и оптимизации характеристик п/п приборов.

Преимущества перед аналогами: Предложенный способ измерения рекомбинационных параметров в полупроводниках, в отличие от аналогов, дает возможность осуществления бесконтактного неразрушающего экспресс-контроля широкого спектра полупроводниковых образцов в широком температурном диапазоне, что не требует наличия сложного дорогостоящего оборудования для позиционирования и зондирования с компьютерным управлением.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
В основу метода положено измерение неравновесного теплового излучения свободных носителей заряда в п/п (hn2Eg). Данный метод дает возможность осуществления бесконтактного неразрушающего экспресс-контроля широкого спектра полупроводниковых образцов. Эффективность метода не зависит от характера доминирующего механизма рекомбинации (излучательная, безызлучательная), что позволяет исследовать рекомбинационные параметры как в прямозонных, так и в непрямозонных п/п. Эффективность метода возрастает с температурой. Это значительно упрощает реализацию метода и обеспечивает возможность бесконтактного неразрушающего контроля рекомбинационных параметров широкого перечня п/п в широком температурном диапазоне (300-800 К). На базе данного метода была разработана технология неразрушающего текущего контроля параметров материала Si и приборов на основных стадиях производства солнечных элементов (ОАО "Квазар").

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 1 шт.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа лицензий
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua