Рекомендована область застосування: Отримання Cd, Zn і Fe чистотою > 99,9999% для синтезу напівпровідникових сполук і створення гетероструктур для: - мікроелектроніки - датчики іонізуючих випромінювань (CdTe, CdZnTe); - оптоелектроніки - сцинтиляційні датчики (Zn, Cd) WO4, (Zn, Cd) MoO4, фотоприймальні пристрої ІЧ діапазону (CdHgTe).

Технічна характеристика: - Маса вихідного завантаження матеріалу - 2,5 кг; - відсоток виходу продукту - 90% від початкового завантаження; - продуктивність пристрою - 300...400 г/год; - потужність нагрівача - 1,0 кВт; - загальна потужність - до 3 кВт; - розміри пристрою з нагрівачем і екранами: висота - 450 мм; діаметр - 240 мм; вага - 5 кг.

Переваги перед аналогами: - Висока ефективність очищення (з 99,9 ... 99,99% до > 99,9999%); - підвищений вихід придатного продукту (90% від початкової завантаження).

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Опис розробки:
()
Пристрій дозволяє отримувати з вихідних Cd, Zn і Fe технічної чистоти (99,9 ... 99,99%) кінцеві продукти чистотою > 99,9999% з високим виходом придатного продукту і високою продуктивністю. Пристрій для глибокого очищення Cd, Zn і Te заснований на рафінуванні матеріалу дистиляцією у вакуумі. Пристрій дозволяє проводити поетапну очистку від легколетучих домішок з фільтрацією та очищення від важколетучих домішок із застосуванням гетерного фільтра, що забезпечує більш глибоке очищення кадмію, цинку і телуру від металевих домішок, у тому числі і від домішок впровадження (N, O, C) до рівня 2...5·10 в -5 ступені мас. %.

Результати дослiджень
Відповідає технічній характеристиці

Можливість передачі за кордон:
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua