Рекомендована область застосування: Отримання Ga, In і Pb чистотою > 99,9999% для синтезу напівпровідникових сполук і створення гетероструктур для: - мікроелектроніки - інтегральні схеми (GaAs); - оптоелектроніки - сцинтиляційні датчики PbWO4, PbMoO4 для пошуку подвійного beta-розпаду і частинок темної матерії; - матеріалів СВЧ - електроніки (GaAs, GaN, InP, InAs, InSb, GaAlAs/GaAs, AlGaN/GaN, InGaAs/InP та ін.)

Технічна характеристика: - Маса вихідного завантаження матеріалу - 2,3 кг; - продуктивність пристрою - 300...400 г/год; - відсоток виходу продукту - 90% від початкової завантаження; - розміри пристрою з нагрівачем і екранами: висота - 350 мм; діаметр - 200 мм; вага - 4 кг; - матеріал для виготовлення тигля і конденсатора - графіт марки МПГ-7; нагрівача і екранів - графіт марки МГ-1 ОСЧ 7-3, ТУ 48-20-9082; - робоча температура - 950...1350 °С; - контроль температури тигля і конденсатора - термопари ВР-5/20; - вакуум в холодному і гарячому стані - 1,33·10 в -3 ступені Па; - реалізація пристрою на базі стандартних пічних агрегатів типу СЗВН-0,55.4,5/14-И1.

Переваги перед аналогами: - Висока ефективність очищення (з 99,9...99,99% до > 99,9999%); - підвищений вихід придатного продукту (90 % від початкового завантаження); - висока продуктивність (300...400 г/год).

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Опис розробки:
()
Пристрій дозволяє з вихідних Ga, In і Pb технічної чистоти (99,9...99,99%) отримувати кінцеві продукти чистотою > 99,9999% з високим виходом придатного продукту і високою продуктивністю. Пристрій для глибокого очищення Ga, In і Pb заснований на рафінуванні матеріалу дистиляцією у вакуумі. Пристрій дозволяє проводити одночасне очищення від важколетучих домішок шляхом випаровування з тигля основного металу та очищення від легколетучих домішок шляхом витримки конденсату при високій температурі в процесі очищення, що забезпечує більш глибоке очищення галію, індію та свинцю від металевих домішок і підвищує продуктивність процесу рафінування.

Результати дослiджень
Відповідає технічній характеристиці

Можливість передачі за кордон:
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua