Purpose of the development: Изобретение предназначено для осаждения тонких пленок методом ионно-лучевого распыления.

Recommended application field: Результаты разработки могут быть реализованы в научных заведениях физического и технического профиля, и непосредственно на предприятиях, производящих современную наукоемкую продукцию.

Advantages over analogues: Не известны аналоги, которые по своим параметрам соответствовали бы разработанному источнику.

The development stage readiness: Pre-production model is made

Description of the development:
()
Устройство представляет собой автономную ионно-лучевую распылительную систему, которая может быть присоединена или помещена в вакуумную камеру, где расположены подкладки. Устройство состоит из одного или более ионных источников, соединенных с одной или более мишенями, которые распыляются, и объединенным магнитным полем, которое контролирует поток заряженных частиц на обрабатываемое изделие. Мишень может находиться под электрическим потенциалом или под плавающим потенциалом. Кроме того, положение мишени может регулироваться относительно ионного пучка. Разработанный источник, благодаря управляемому потоку заряженных частиц на поверхность, может быть очень полезен как для экспериментальных исследований взаимодействия плазменных потоков с поверхностью твердых тел, так и непосредственно для использования в различных ионно-лучевых технологических процессах. Источник работает со стандартными блоками питания, которые производятся промышленностью. Стоимость источника не превышает стоимости стандартных устройств. Разработан полный пакет технической документации. Изготовлен, налажен и исследован пилотный экземпляр источника. Результаты разработки запатентованы в США.

Information about newness of the development:
there are patents of other countries -- 1 items

corresponds technical description
Conforms to technical characteristic

Possibility of transfer abroad:
Licence's sale
Licence's sale

Photo

Country Ukraine

For additional information turn to:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua