МАЛОГАБАРИТНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СТАНОК ДЛЯ БЕЗДЕФЕКТНОЙ РЕЗКИ КРИСТАЛЛОВ
Назначение разработки:
Предназначен для кристаллографически ориентированной резки монокристаллов без внесения в них дополнительных структурных дефектов.
Рекомендуемая область применения:
Микроэлектронная и электронная промышленность
Техническая характеристика:
- габариты – 500х500х500 мм;
- диаметр разрезаемого кристалла - = 50 мм;
- максимальная длина слитка – 300 мм;
- размер разрезаемой пластины – 40х50 мм;
- диаметр нити – 0,03-0,3 мм;
- количество нитей – до 5 шт.;
- скорость движения нити – 0,1-1 м/с;
- давление нити на образец – 0,01-0,10 Н.
Преимущества перед аналогами:
- отсутствие дополнительных структурных дефектов на поверхности разреза;
- возможность регулирования режима резки;
- возможность переналадки станка в химический, многострунный и абразивный варианты;
- высокая точность ориентированных разрезов.
Станок аналогов не имеет.
Стадия готовности разработки:
Внедрено в производство
Технико-экономический эффект:
- отсутствие дополнительных структурных дефектов на поверхности разреза;
- возможность регулирования режима резки;
- возможность переналадки станка в химический, многострунный и абразивный варианты;
- высокая точность ориентированных разрезов.
- станок аналогов не имеет.
Описание разработки:
() Отсутствие нарушений в зоне резания обеспечивается благодаря использованию принципов химического или электрохимического травления веществ.
Станок может применяться для резки веществ, поддающихся растворению в жидких средах. Рабочим инструментом станка является нить, которая, двигаясь, затягивает травитель в зону резания кристалла и выносит из нее продукты реакции. Станок имеет управляющую систему, обеспечивающую автоматическую подачу заготовки, без механического контакта с нитью, со скоростью подачи, равной скорости травления образца. Смена оснастки позволяет использовать станок для многострунной химической резки, а также абразивной струнной резки слитков и пластин. В абразивном варианте управляющая система подачи заготовки обеспечивает контролируемое малое давление контакта нить-образец.
Устройство испытано при разрезании полупроводниковых монокристаллов (CdHgTe, CdTe, Ge, Si, GaAs, InSb, InAs, CdZnTe, PbSnTe, HgTe, Wi2Te3), щелочногалоидных кристаллов и некоторых металлов.
Сведения о новизне разработки:
в разработке использовано патенов -- 1 шт.
Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике
Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов Продажа технической документации Реализация готовой продукции Совместное произв.,продажа, эксплуатация
Фотоприложение
Cтрана
Украина
За дополнительной информацией обращайтесь: E-mail: gal@uintei.kiev.ua
|