технологии

ТРАНСФЕР ИННОВАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

МАЛОГАБАРИТНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СТАНОК ДЛЯ БЕЗДЕФЕКТНОЙ РЕЗКИ КРИСТАЛЛОВ


Назначение разработки: Предназначен для кристаллографически ориентированной резки монокристаллов без внесения в них дополнительных структурных дефектов.

Рекомендуемая область применения: Микроэлектронная и электронная промышленность

Техническая характеристика: - габариты – 500х500х500 мм; - диаметр разрезаемого кристалла -

Преимущества перед аналогами: - отсутствие дополнительных структурных дефектов на поверхности разреза; - возможность регулирования режима резки; - возможность переналадки станка в химический, многострунный и абразивный варианты; - высокая точность ориентированных разрезов. Станок аналогов не имеет.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Технико-экономический эффект: - отсутствие дополнительных структурных дефектов на поверхности разреза; - возможность регулирования режима резки; - возможность переналадки станка в химический, многострунный и абразивный варианты; - высокая точность ориентированных разрезов. - станок аналогов не имеет.

Описание разработки:
()
Отсутствие нарушений в зоне резания обеспечивается благодаря использованию принципов химического или электрохимического травления веществ. Станок может применяться для резки веществ, поддающихся растворению в жидких средах. Рабочим инструментом станка является нить, которая, двигаясь, затягивает травитель в зону резания кристалла и выносит из нее продукты реакции. Станок имеет управляющую систему, обеспечивающую автоматическую подачу заготовки, без механического контакта с нитью, со скоростью подачи, равной скорости травления образца. Смена оснастки позволяет использовать станок для многострунной химической резки, а также абразивной струнной резки слитков и пластин. В абразивном варианте управляющая система подачи заготовки обеспечивает контролируемое малое давление контакта нить-образец. Устройство испытано при разрезании полупроводниковых монокристаллов (CdHgTe, CdTe, Ge, Si, GaAs, InSb, InAs, CdZnTe, PbSnTe, HgTe, Wi2Te3), щелочногалоидных кристаллов и некоторых металлов.

Сведения о новизне разработки:
в разработке использовано патенов -- 1 шт.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации
Реализация готовой продукции
Совместное произв.,продажа, эксплуатация

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua

или заполнить форму:
Название организации :
Адрес :
Расчетный счет :
Банк :
МФО :
Код ОКПО :

Данные о руководителе научной организации :
Фамилия :
Имя :
Отчество :
Ученая степень, научное звание :
Телефон :
Факс :
E-mail :
Предложения по сотрудничеству (совместное патентование, совместное предприятие, продажа готового продукта, прочее) :
Страна: