Назначение разработки: Предназначен для высококачественного полирования пластин полупроводников и металлов без внесения деформаций и дополнительных дефектов.

Рекомендуемая область применения: Микроэлектроника

Техническая характеристика: -давление подложек (пластин) на полировальник – 0,01-0,10 Н; -скорость вращения полировальника –5-60 об/мин; -шероховатость подложек (пластин) после обработки – 0,03 мкм; -неплоскостность пластины на диаметре 60 мм – 2-4 мкм; -нарушенный слой на поверхности пластин после обработки (в варианте ББХМП) – отсутствует.

Преимущества перед аналогами: -конкурентоспособность технологии заключается в том, что она позволяет получать монокристаллические пластины, не требующие дополнительной обработки, без при внесенных операциями обработки структурных изменений, необходимой плоскостности и шероховатости. -технология позволяет существенно уменьшить припуск на обработку, экономить материал, повысить в несколько раз выход годных заготовок, сократить затраты рабочего времени, изготавливать тонкие (от десятков мкм) пластины пластичных полупроводников без остаточного изгиба и наклепа, формировать глубокие и тонкие бездефектные пропилы, что может быть использовано для изготовления мезаструктур.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Травитель необходимого состава для обработки подается на полировальник станка, на котором находятся кассеты с пластинами обрабатываемого материала. Станок имеет систему управления и контроля, которая обеспечивает изменение давления пластин на полировальник, скорости и кинематики движения кассеты с образцами, скорости движения полировальника. Станок может использоваться для бесконтактного безабразивного химико-механического (ББХМП) и электрохимического полирования пластин, которые могут растворяться в жидких средах. Смена оснастки позволяет использовать станок для операции химико-механического и абразивного полирования пластин. В абразивном варианте управляющая система подачи заготовки обеспечивает контролируемое малое давление образца на полировальник. Станок испытан при полировании пластин полупроводниковых материалов (InAs, InSb, CdHgTe, CdTe, HgTe, PbTe, GaAs, ZnSe, CdZnTe, Ge) и некоторых металлов (Al, Cu, Zn, и др.). Принцпиальной особенностью технологии является то, что на всех операциях изготовления изделия в зону обработки полупроводника подается дозированное количество особой химически активной жидкости, которая растворяет данный обрабатываемый материал и в дальнейшем продукты реакции полностью удаляются. Обработка (резка или полирование) выполняется без контакта изделия с инструментом в тонком контролируемом слое травителя, благодаря чему повышается точность выполняемых операций. Аналоги отсутствуют.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua