Рекомендуемая область применения: Медицина: физиотерапия, обратное переливание крови, облучение человека солнечными лучами; сельское хозяйство: агротехнологии в теплицах и оранжереях; биотехнологии: синтез витаминов D2 и D3; дезинфекция воды, воздуха, одежды, инструмента и пищевых продуктов во время длительного хранения и эпидемий; астронавигация и ультрафиолетовая локация; астрономия; получение данных о физических процессах, протекающих на внеземных объектах, способных излучать ультрафиолетовое излучение; материаловедение: определение состава вещества и электронной структуры элемента; экология: исследования озоновой дыры, обнаружение загрязнений окружающей среды; ядерная физика и теплотехника: регистрация ядерных частиц с помощью сцинтилляторов; дефектоскопия; криминология; проведение люминесцентного анализа произведений искусств благодаря способности ряда веществ люминесцировать под воздействием ультрафиолетового излучения.

Преимущества перед аналогами: Предлагаемый детектор - лавинный фотодиод нового поколения - обеспечивает регистрацию светового излучения бесконечно малой интенсивности. В отличии от аналогов характеризируется малыми размерами (площадь рабочего элемента 9 квадратных мм), высокой чувствительностью (10 в шестой степени-10 в седьмой степени В/Вт) и быстродействием. Спектральный диапазон чувствительности - 200-900 нм, рабочее напряжение низкое (5-10 В), порош чувствительности на уровне одиночных фотонов. Метод изготовления по сравнению с аналогами отличается простотой и небольшой стоимостью.

Стадия готовности разработки: Изготовлен опытный образец

Описание разработки:
()
Поверхностно-барьерные элементы получены методом вакуумного осаждения тонкой золотой пленки на свежесколотую поверхность кристалла InSe. Омические контакты созданы посредством осаждения серебряной пасты на противоположную поверхность кристалла. Последующий отжиг в течении 10 минут позволяет уменьшить переходное сопротивление.

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Азербайджан

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua