Назначение разработки: Экологически чистая технология, которая основана на оригинальном методе вакуумной металлизации обеспечивает высококачественное нанесение слоя меди на поверхность и стенки монтажных и переходных отверстий коммутационных плат в одном цикле и может быть использована в производстве печатных плат и гибридных микросхем для металлизации: - Монтажных и переходных отверстий двусторонних, многослойных и многоуровневых плат; - Плат с рельефным выполнением коммутации; - Плат на гибких основах; - Гибридных толсто-, тонкопленочных схем.

Рекомендуемая область применения: Предприятия радиоэлектронной промышленности.

Техническая характеристика: - Материал основы: фольгированный и нефольгированній стеклопластик, полиамид, керамика, эмаль и др. .. - Минимальная ширина проводников и промежутков между ними, мкм ... .. 100 - Минимальный диаметр сквозных или глухих отверстий при толщине платы 1 мм, мкм ... .200 - Количество перепаек контактных площадок, не менее ... .. 10 - Адгезия слоя меди к плате, кг / см кв, не хуже ... ... 100 - Максимальный размер плат, мм ... ... 600х600 Метод позволяет применять сухое травление меди.

Преимущества перед аналогами: Основные преимущества технологии: - Обеспечение высокой плотности монтажа; - Полное решение проблемы качества (надежности) металлизации и переходных отверстий плат; - Экологическая чистота вследствие исключения из техпроцесса ряда химических операций; - Исключение применения драгоценных металлов (палладия); - Экономия меди и других материалов; - Уменьшение времени контакта плат с растворами.

Стадия готовности разработки: Опробовано в режиме опытной эксплуатации

Технико-экономический эффект: Экономические преимущества базируются на исключении из технологического процесса ряда химических операций и драгоценных материалов, повышение надежности плат, экономии меди и сокращение затрат на природо защитные меры.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 1 шт.

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua