Назначение разработки: Предназначен для использования в широком аспекте техники и электроники, например, в таких направлениях, как телекоммуникации, Интернет, альтернативные источники энергии.

Рекомендуемая область применения: Нанотехнологии, связанные с электроникой и микроэлектроникой, оптические сети и системы, телекоммуникации, сети, нетрадиционные и альтернативные источники энергии.

Техническая характеристика: Для получения пористых слоев InP был выбран метод фотоэлектрохимического травления в электролите на основе HCl (5%). Также был избран режим фиксированной плотности тока, которая составила 150 мА/см2. Время травления составляло 15 минут. Катодом служила пластина платины. Рабочая поверхность образцов 0,12 см.

Преимущества перед аналогами: На поверхности пористого р-InР не образуется оксидной пленки, также не наблюдается наличие элементов, входящих в состав травителя. Поры имеют равномерное распределение по поверхности кристалла. Диаметр пор свидетельствует о том, что создаваемая поверхность является нанопористой. Этот результат является технологически важным, так как позволяет использовать такие структуры в различных областях техники и оптоэлектроники.

Стадия готовности разработки: Изготовлен опытный образец

Описание разработки:
()
Данная разработка относится к способам изготовления пористых структур на поверхности монокристаллического фосфида индия р-типа, в результате чего на поверхности формируется пористый слой InP. Обработку монокристалла p-InP проводят путем фотоэлектрохимического травления. Перед травлением образцы проходили предварительную обработку с целью получения очищенной от загрязнений поверхности. Образцы промывали в толуоле, метаноле и изопропаноле. Для получения пористых слоев InP был выбран метод фотоэлектрохимического травления в электролите на основе HCl (5%). Также был избран режим фиксированной плотности тока, которая составила 150 мА/см2. Время травления составляло 15 минут. Катодом служила пластина платины. Рабочая поверхность образцов 0,12 см. Технология готова к серийному производству и позволяет получать высококачественные пористые слои InP с регулируемыми параметрами (степень пористости, размер и глубина пор, равномерность распределения пор по поверхности слитка). Предложенный метод получил высокую оценку специалистов по физике полупроводников на нескольких международных научных конференциях. Такие структуры могут найти применение при изготовлении сенсоров (так как их чувствительность зависит от площади поверхности), солнечных батарей (возможность накопления рекордного количества энергии).

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 1 шт.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа лицензий
Продажа технической документации
Совместное доведение до промыш. уровня
Совместное произв.,продажа, эксплуатация

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua