Назначение разработки: Разработка относится к конденсаторостроительству и может быть использована в различных областях наноэлектроники как функциональный блок радиочастотных конденсаторов и оптически управляемых линий задержки, инкорпорированных в архитектуру 3D-наноструктур и сформированных за восходящим принципом. Возможно применение ее как квантового накопителя для не электрохимического сверхвысокоемкого накопления энергии на молекулярном уровне.

Рекомендуемая область применения: Электротехника.

Техническая характеристика: Увеличение плотности емкости до 22 раз по сравнению с известными параметрами и одновременное уменьшение тангенса угла электрических потерь до 20,7 раз.

Преимущества перед аналогами: Аналоги отсутствуют.

Стадия готовности разработки: Изготовлен опытный образец

Описание разработки:
()
Квантовый конденсатор имеет полупроводниковую слоистую кристаллическую структуру GaSe с двумя токоотводами, интеркаляционно расширенную в направлении, перпендикулярном плоскости квантовых листов, где в расширенных областях действия сил Ван-дер-Ваальса сформировано нанопрослойки инородных фаз. Как инородная фаза использованы органический полупроводник, а токоотводы нанесены на две противоположные грани, перпендикулярные к кристаллографической оси С.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua