Назначение разработки: Повышение термоэлектрической эффективности ZT-основной характеристики термоэлектрических материалов. Нано структурирование термоэлектрических материалов является эффективной технологией достижения высокой ZT за счет обеспечения низкой теплопроводности

Рекомендуемая область применения: Космическая отрасль, военная отрасль, предприятия бытовой техники, термоэнергетика

Преимущества перед аналогами: 1-й год внедрения - 1 млн. грн.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Наноразмерные пленочные композиции CoSb3/SiO2 (100 нм) / Si (001) нанометровых толщин (10 - 50 нм) будут получены соосаждением кобальта и антимония в вакууме 10-9 Па на подложки монокристаллического кремния Si (001), покрытые слоем оксида SiO2, которые находятся при комнатной температуре или подогретые до температуры (370 - 570) К. Осаждение Sb будет проводиться с помощью ефузера, Co - электронно-лучевым методом. Для легирования пленки будут использоваться Ba, Yb, Tl, Ce, La. Для термической обработки пленки будет применен отжиг в атмосфере азота или в вакууме в интервале (570 - 970) К. Термоэлектричество - приоритетное направление развития науки и техники, основан на прямом преобразовании тепловой энергии в электрическую. Отсутствие движущихся частей и возможность функционирования в экстремальных условиях обеспечивают термоэлектрическим источникам энергии высокую надежность и практически неограниченный ресурс работы.

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua