Назначение разработки: нанотехнология и наноэлектроника.

Рекомендуемая область применения: Материалы для дальней ИК-техники.

Преимущества перед аналогами: Уникальные свойства: высокая фоточувствительность в дальней ИК-области спектра, долговременный характер фотопроводимости.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Описание разработки:
()
Разработаны методы получения легированных наноматериалов на основе PbSnTe, отличающихся уникальными средствами.

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Молдова

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua