Назначение разработки: Предназначены для создания на основе данного класса наноматериалов новых высокоэффективных лазерных излучателей и телевизионных проекторов высокой яркости и большой площади изображения ультрафиолетового и видимого диапазонов спектра.

Рекомендуемая область применения: Полупроводниковые лазеры, квантоскопы и проекционные экраны.

Техническая характеристика: -уменьшение на порядок оптических потерь резонатора; -понижение порога до 30 КВт/см квадратных и одномодовый режим лазерной генерации; -генерация ультрафиолетового излучения с длинной волны 397 нм при комнатной температуре Трехмерные полупроводниковые наноструктуры с размерами порядка длины волны электрона или фотона применяются в ИПТМ РАН для модификации излучательных свойств широкозонных материалов ZnO и GaN. Квантование волновых функций электрона или фотона в наносферах и наностержнях из этих полупроводников позволяет изменять их излучательные характеристики, понизить на два порядка пороги накачки и повысить эффективность ультрафиолетовых лазеров.

Преимущества перед аналогами: Объем инвестиций 10 000 000 руб.; период окупаемости 1 год.

Стадия готовности разработки: Изготовлен опытный образец

Технико-экономический эффект: Патент РФ №2366050 от 27.08.2009

Описание разработки:
()
На основе полученных высококачественных кристаллических широкозонных полупроводниковых ZnO созданы ансамбли вертикальных наностержней (в виде гексагональных монокристаллов) и изолированных наностержней с зеркалами на торцах с характерными размерами порядка длины волны света, на которых впервые получена стимулированная люминесценция в ультрафиолетовой области спектра (380-400 нм). Впервые были созданы лазеры ультрафиолетового излучения с оптической и электронной накачкой на основе стержней ZnO (диаметром 100-200 нм), выращенных на различных подложках без использования катализатора.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 1 шт.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Совместное доведение до промыш. уровня
Создание совместного предприятия
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Россия

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua