Назначение разработки: Технологическая установка эпитаксиального роста Discovery D-180 LDM. Установка предназначена для создания гетероэпитаксиальных полупроводниковых структур, включая квантоворазмерные, на основе GaAs материалов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (метод MOCVD) для приборов микро-оптоэлектроники. Технологическая установка эпитаксиального роста D-180GaN MOCVD System. Установка предназначена для создания гетероэпитаксиальных полупроводниковых структур на основе GaN материалов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (метод MOCVD) для приборов микро-оптоэлектроники. Технологическая установка эпитаксиального роста m-GaNzilla MOCVD System (modification E300). Установка предназначена для изготовления гетероэпитаксиальный полупроводниковых структур на основе GaN-материалов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (метод MOCVD) для приборов микро-оптоэлектроники.

Рекомендуемая область применения: Микрооптоэлектроника.

Преимущества перед аналогами: Технологическая установка эпитаксиального роста Discovery D-180 LDM - в Украине нет аналога такой установки. Ее возможности обеспечат пользователя статусом ведущего учреждения в области полупроводникового материаловедения. Технологическая установка эпитаксиального роста m-GaNzilla MOCVD System (modification E300) обеспечивает максимальное производство, поддерживая исключительную однородность толщины, легирования и состава в выращенных эпитаксиальных слоях. Реактор был разработан для осаждения высококачественных InGaN, AlGaN и GAN и оптимизирован для быстрых темпов роста.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Технико-экономический эффект: Материально-техническая база концерна "Наука" позволяет организовать производство конкурентоспособной и патентопригодной наукоемкой продукции : -- мощных светодиодов белого спектра излучения с использованием GaN и твердых растворов на его основе; -- приборов СВЧ электроники, силовой электроники и оптоэлектроники с использованием GaN и твердых растворов на его основе; -- концентрированных солнечных батарей на основе тандемных наногетероструктур.

Описание разработки:
()
Технологическая установка эпитаксиального роста D-180GaN MOCVD System. Диагностическое оборудование в составе: 1. Система фотолюминесцентного картографирования подложек Philips (Nanometrics) PLM-series. Предназначена для быстрого, неразрушающего картографирования структуры полупроводниковых подложек при комнатной температуре, используя методы фотолюминесценции (ФЛ). Система может сканировать подложки диаметром до 150 мм и толщиной в 1 мм с разрешением до 0,1 мм и максимальной скоростью 2000 точек в секунду для суммарной интенсивности ФЛ. 2. Система измерения Холла HMS3000. Полная система по определению основных электрических свойств полупроводниковых материалов (удельное сопротивление, концентрация носителей заряда, p/n тип заряда и подвижность), в том числе многослойных структур. Система использует усовершенствованное программное обеспечение для обработки данных с дополнительным модулем измерения вольтамперных характеристик. Система может использоваться для описания различных материалов, включая кремний, арсенид галлия, фосфид индия, нитрид галлия, различные структура полупроводников, слои металла, окис при комнатной температуре и 77 К (температура жидкого азота). 3. Электрохимический профилометр Accent PN4300PC. Управляемый РС электрохимический CV профилометр, который измеряет концентрацию электрически активной примеси в зависимости от глубины в структурах полупроводника. Это удобный, и часто единственный способ оценить свойства пластин перед дорогим и отнимающим много времени производственным процессом.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа лицензий
Продажа технической документации
Создание совместного предприятия
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua