Назначение разработки: Термодинамика выращивания деформированных гетероструктур на основе твердых растворов ZnCdTe предназначена для использования в приборах регистрации рентгеновского излучения и мягкой компоненты проникающей радиации.

Рекомендуемая область применения: Приборостроение. Разработка относится к области современного полупроводникового материаловедения, а именно к разработке элементов современной высокоточной, прецизионной технологии получения гетероструктур для приборов на основе твердых растворов соединений А2В6.

Преимущества перед аналогами: Патенто-, конкурентоспособные результаты, сравнение с мировыми аналогами: Термодинамическое и компьютерное моделирование технологического процесса выращивания слоев в данной полупроводниковой системе проводится впервые. Поэтому такой способ решения проблемы будет конкурентоспособным и патентоспособным. Данный способ решения указанной проблемы предложено к реализации в Украине впервые.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Технико-экономический эффект: Экономическая привлекательность разработки для продвижения на рынок, внедрения и реализации, показатели, стоимость: Предложенные вычислительные программы позволят быстро и с высокой вероятностью прогнозировать условия кристаллизации твердых растворов с заданными свойствами. Это приведет к экономии дорогих исходных материалов и сокращению времени внедрения найденных условий кристаллизации материала в его производстве, а главное - открывает возможность целенаправленного управления технологическим процессом формирования заданных параметров панели структуры. Такой подход к поиску режимов роста слоев полезно как с экономической точки зрения, так и с точки зрения научного понимания проблемы.

Описание разработки:
()
В проекте предложено выполнить термодинамический анализ процесса выращивания твердых растворов системы ZnCdеTe на подложках из CdTe. Пленка такого материала толщиной несколько микрон может быть активной средой, которая реагирует на рентгеновское излучение и наличие мягкой компоненты проникающей радиации. Состояние готовности разработки: Разработаны термодинамические представления, описывающие процесс выращивания слоев твердых растворов ZnCdTe из жидкой фазы. Разработано математическое обеспечение решения задачи и получены предварительные результаты. Эта часть работы опубликована в ведущих изданиях Украинской и Российской АН. Результаты внедрения: Предварительные результаты применяются при выборе условий получения эпитаксиальных слоев ZnCdTe в Институте физики полупроводников НАН Украины (г. Киев).

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua