Назначение разработки: Термодинамика латеральной эпитаксии кремниевых слоев предназначена для дешевых элементов солнечных батарей, используемых в солнечной энергетике.

Рекомендуемая область применения: Солнечная энергетика.

Преимущества перед аналогами: Новизна: Термодинамическое и компьютерное моделирование технологического процесса выращивания слоев проводится в Украине впервые. Данный способ решения проблемы будет конкурентоспособным.

Стадия готовности разработки: Опробовано в режиме опытной эксплуатации

Технико-экономический эффект: Экономическая привлекательность разработки для продвижения на рынок, внедрения и реализации, показатели, стоимость: Сейчас поиск условий выращивания таких слоев осуществляется эмпирическим путем. Это требует больших временных и материальных затрат. Решить проблему предлагается теоретическими методами с помощью термодинамического анализа и компьютерного моделирования такого многофакторного технологического процесса. Термодинамический анализ позволит разработать компьютерные программы, которые позволят быстро и с высокой вероятностью прогнозировать условия кристаллизации материала с заданными свойствами. Такой подход приведет к экономии дорогих исходных материалов и сокращению времени внедрения найденных условий кристаллизации материала в его производстве.

Описание разработки:
()
Суть разработки: Сдерживающим фактором развития современной солнечной энергетики следует считать высокую себестоимость ее основных компонентов - кремниевых элементов. Одним из перспективных направлений решения этой проблемы является совершенствование и удешевление технологического процесса их получения. Предлагается термодинамическая модель, которая позволяет с высокой вероятностью прогнозировать технологические условия выращивания кремниевых слоев из жидкой фазы, обогащенной оловом, методом латеральной эпитаксии (эпитаксия на частично покрытых маской подложках). Разработка относится к области современного полупроводникового материаловедения. Состояние готовности разработок: Разработаны термодинамические представления, описывающие процесс выращивания кремниевых слоев методом латеральной эпитаксии. Разработанное математическое обеспечение решения задачи и получены предварительные результаты. Эта часть работы опубликована в ведущих изданиях Украинской и Российской АН. Результаты внедрения: Предварительные результаты применяются при выборе условий получения эпитаксиальных слоев в ЖГТУ (Украина) и Люблинском техническом университете (Польша).

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua