Назначение разработки: Для использования в электронном материаловедении и технологии производства материалов и структур (в т.ч. наноструктур) на основе кремний-германиевых полупроводников.

Рекомендуемая область применения: Электроника.

Техническая характеристика:

Преимущества перед аналогами: Данный метод характеризуется существенно более высоким пространственным разрешением, определяемой фокусировкой возбуждающего лазерного излучения. При использовании микрообъектива пространственное разрешение составляет ~ 1 мкм.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Метод основан на регистрации спектров комбинационного рассеивания света от структур, сформированных на основе твердого раствора Ge [x] Si [1-x] и последующем анализе интенсивности и частот полученных полос, соответствующих колебаниям атомов Ge-Ge, Ge-Si, Si-Si .

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации
Создание совместного предприятия

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua