Назначение разработки: Сильное легирование тонкой поверхностной области полупроводника, создание инверсного слоя и формирование резкого p-n перехода.

Рекомендуемая область применения: Электроника. Радиотехника. Машиностроение.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Метод поверхностного лазерного легирования состоит в облучении кристалла Cd(Zn)Te с предварительно нанесенной пленкой легирующего элемента короткими импульсами лазера. Благодаря сверхбыстрым процессам плавления и кристаллизации, действия упругих и ударных волн формируется тонкий (d = 40-60 нм), сильнолегированный (N примерно 10 [19] куб.см) слой и резкий p-n переход.

Сведения о новизне разработки:

ноу-хау--
1 шт.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации
Создание совместного предприятия

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua