Назначение разработки: Технология позволяет получать высокоэффективные светоизлучающие структуры на подложках большой площади с заданным спектральным составом излучения (от 560Нм до 950 нм).

Рекомендуемая область применения: Кремниевая фотоника, в частности для создания кремниевых светодиодов, дисплея, эмиссионных структур, оптического усиления и лазеров.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Разработана технология формирования светоизлучающих структур на основе нанокристаллов кремния в пористой оксидной матрице с контролируемым размером нанокристаллов. Технология запатентована, получен патент Украины № 75793 на изобретение "Способ получения светоизлучающего материала на основе кремния ", опубл. в бюл." Промышленная собственность ", № 5 от 15.05.2006.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 1 шт.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua