Назначение разработки: Полупроводники CdTe с наноструктурированной поверхностью перспективны для создания быстродействующих фотодиодов, оптических модуляторов, солнечных элементов и других приборов фотоники.

Рекомендуемая область применения: Фотоника.

Преимущества перед аналогами: В отличие от других существующих методов, в предложенной разработке образование наноразмерных структур может происходить как в твердой, так и в жидкой фазах за счет формирования дефектно-деформационных континуумов при облучении материала.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Лазерное облучение и вызванное им действие, в частности, нагрева, оптического возбуждения, деформационных, ударных и поверхностных волн образует в твердых телах высокую концентрацию точечных эффектов. При превышении критической концентрации происходит их кластеризация и образование островков нанометровых размеров. Этот процесс возникает при облучении одиночными наносекундными импульсами рубинового лазера кристаллов CdTe. С увеличением плотности мощности лазерных импульсов размеры наночастиц сначала увеличиваются, а затем уменьшаются, при этом в зависимости от параметров импульса они упорядочиваются в различные структуры рельефа.

Сведения о новизне разработки:

ноу-хау--
1 шт.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua