Назначение разработки: Изобретение предназначено для осаждения тонких пленок методом ионно-лучевого распыления.

Рекомендуемая область применения: Результаты разработки могут быть реализованы в научных заведениях физического и технического профиля, и непосредственно на предприятиях, производящих современную наукоемкую продукцию.

Преимущества перед аналогами: Не известны аналоги, которые по своим параметрам соответствовали бы разработанному источнику.

Стадия готовности разработки: Изготовлен опытный образец

Описание разработки:
()
Устройство представляет собой автономную ионно-лучевую распылительную систему, которая может быть присоединена или помещена в вакуумную камеру, где расположены подкладки. Устройство состоит из одного или более ионных источников, соединенных с одной или более мишенями, которые распыляются, и объединенным магнитным полем, которое контролирует поток заряженных частиц на обрабатываемое изделие. Мишень может находиться под электрическим потенциалом или под плавающим потенциалом. Кроме того, положение мишени может регулироваться относительно ионного пучка. Разработанный источник, благодаря управляемому потоку заряженных частиц на поверхность, может быть очень полезен как для экспериментальных исследований взаимодействия плазменных потоков с поверхностью твердых тел, так и непосредственно для использования в различных ионно-лучевых технологических процессах. Источник работает со стандартными блоками питания, которые производятся промышленностью. Стоимость источника не превышает стоимости стандартных устройств. Разработан полный пакет технической документации. Изготовлен, налажен и исследован пилотный экземпляр источника. Результаты разработки запатентованы в США.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов других стран -- 1 шт.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа лицензий

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua