Назначение разработки: Разработанная кластерная система предназначена для синтеза многослойных функциональных, в том числе нанокомпозиционных покрытий и структур, в частности покрытий типа оксидов и оксинитридов.

Рекомендуемая область применения: Микро- и нанотехнологии.

Преимущества перед аналогами: Главное преимущество разработки по сравнению с зарубежными аналогами заключается в том, что синтез покрытий осуществляется в диапазоне низкого давления рабочего газа (0,5-2 мТор). Во-первых, это позволяет увеличить дистанцию магнетрон-поверхность до 30-40 см, значительно увеличить площадь поверхности нанесения и повысить скорость нанесения. Во-вторых, это позволяет проводить активацию реактивного газа ВЧ индукционным разрядом и доставлять активированные частицы в область синтеза покрытий. В-третьих, это открывает возможность делать бомбардировки поверхности высоко-, средне- или низко энергетическими.

Стадия готовности разработки: Изготовлен опытный образец

Описание разработки:
()
Разработанная кластерная система сочетает уникальный набор ионно-плазменных инструментов обработки поверхности. Основная идея технологии заключается в сепарации двух процессов: распыление металлической мишени с помощью магнетрона постоянного тока в инертном газе и активация реактивного газа с помощью дополнительного плазменного источника на базе ВЧ индукционного разряда. Принципиальной новизной этой кластерной системы является сочетание нескольких совместимых источников потоков металлов, ионов, химически активных частиц для комплексного воздействия на кинетику роста наноструктур. В частности, в системе впервые для таких технологий применен уникальный биполярный источник заряженных частиц, который обеспечивает одновременное извлечение ионов и электронов, позволяет отказаться от применения дополнительного нейтрализатора, даже при обработке диэлектрических мишеней. Авторские разработки были защищены двумя патентами Украины. Таким образом, разработанная кластерная система дает возможность разработки принципиально новых технологий синтеза покрытий с управляемыми свойствами. В частности, была проведена серия экспериментов по реактивной ионно-лучевой обработке диэлектрических и полупроводниковых наноструктур с использованием сконструированного источника (рабочий газ CF4), которая показала возможность анизотропной обработки структур с размером менее 70 нм.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 2 шт.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа лицензий

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua