Назначение разработки: Целью работы является разработка неохлаждающихся источников ИК излучения на спектральный диапазон 3-12 мкм на основе Si, что даст возможность использовать высокую технологичность кремния для изготовления источников ИК излучения.

Рекомендуемая область применения: Область использования таких светодиодов: панели восстановления и обработки информации в ИК спектре, средства тестирования тепловизионных камер, эталоны ИК излучения, приборы мониторинга состояния окружающей среды, биомедицинские сенсоры и др.

Техническая характеристика: В процессе работы будут изготовлены экспериментальные образцы одно и многоэлементные источники ИК излучения с такими параметрами: 1. Спектральный диапазон, мкм ............3-12 2. Мощность излучения, мВт/см кв. ....................... до 103 3. Скорость действия, мкс ...................50-500 4. Рабочая температура, С ....................50-150 5. Размеры излучаемого участка, мм. ............................0,3х0,3 - 2,5х2,5 С целью изучения параметров приборов запланировано создание стенда для излучений и разработка программы и методики испытаний.

Стадия готовности разработки: Опробовано в режиме опытной эксплуатации

Описание разработки:
()
Принцип действия разрабатываемых источников основано на эффекте концентрационной модуляции теплового излучения полупроводников при инжекции носителей заряда в оптически тонкую базу светодиода.Технология изготовления активных элементов источников будет разработана на основе монокристаллов Si. Особенное значение имеет проведение дифузии акцепторных и донорских добавок в Si для создания p*-n-n*- структур. При этом нужно высокое качество примесей-дифузантов, оснастки, газовой атмосферы в которой проводится дифузия. Кроме этого планируется использование гетерирования кристалла кремния за счет использования свойств акцепторных и донорских примесей, которые наносятся на поверхность кремния с подбором необходимой концентрации. Повышение уровня t также можно достичь за счет выбора температурно-временного режима при проведении дифузионного процесса. При использовании нанокристаллического или пористого кремния в технологии светодиодов ИК-излучения за счет оптимальной канализации вывода света с объектом монокристаллического кремния, уменьшения скорости рекомбинации на поверхности и в объеме, оптимального регулирования оптических характеристик будет повышена мощность разрабатываемых светодиодов. Метод магнетронного распыления является простой технологией, которая позволяет осаждать при сравнительно высокой скорости и низкой температуре нанокристаллические кремниевые пленки. Другим способом получения нанокристаллических кремниевых пленок является формирование нанокристаллов в аморфной пленке при воздействии определенных внешних факторов: отпадание, лазерное облучение, имплантация ионов кремния.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Совместное доведение до промыш. уровня
Создание совместного предприятия

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua