технологии

ТРАНСФЕР ИННОВАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

ДЕТЕКТОРЫ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO, ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ


Назначение разработки: Разработанные детекторы предназначены для регистрации слабого ультрафиолетового излучения (УФИ) на фоне мощного видимого и инфракрасного излучения.

Рекомендуемая область применения: Ультрафиолетовая фотоэлектроника, в частности для потребностей: медицины - физиотерапия, контроль облучения людей солнечной радиацией; биотехнологии - синтез витаминов D2 и D3; материаловедения - определение состава веществ и электронной структуры элементов; экологии - проблема озоновой дыры, определение загрязнения окружающей среды.

Техническая характеристика: Фоточувствительность Ni/ZnO:N/Al детекторов УФИ - 0,1 А/Вт при длине волны УФИ 365 нм. Быстродействие - 100 мс.

Преимущества перед аналогами: Достигнутые разработчиками значения фоточувствительности и скорости Ni/ZnO:N/Al детекторов УФИ соответствуют по величине аналогичным характеристикам промышленных детекторов на основе Si, GaN и SiC. По сравнению с GaN, оксид цинка характеризуется более низкими температурами и более простыми технологическими процессами осаждения пленок. Соответственно, этот материал имеет более низкую стоимость. Следует также отметить, что ZnO является технологическим материалом, поскольку существует много методов его осаждения.

Стадия готовности разработки: Разработана рабочая документация

Описание разработки:
()
Создание детекторов ультрафиолетового излучения на основе наноструктурированных пленок ZnO представляет значительный интерес из-за распространенности Zn и O2 в природе, простой и дешевой технологии его получения - магнетронного напыления, нетоксичности материала для окружающей среды - нетоксичности технологии его получения. Также полупроводниковые детекторы имеют высокую эффективность, малый вес и габариты, способность интегрировать сигнал, который детектируется.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа лицензий
Продажа технической документации
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua

или заполнить форму:
Название организации :
Адрес :
Расчетный счет :
Банк :
МФО :
Код ОКПО :

Данные о руководителе научной организации :
Фамилия :
Имя :
Отчество :
Ученая степень, научное звание :
Телефон :
Факс :
E-mail :
Предложения по сотрудничеству (совместное патентование, совместное предприятие, продажа готового продукта, прочее) :
Страна: