Рекомендуемая область применения: - Полевые эмитеры; - зонды для сканирующих туннельных микроскопов и нанотехнологий; - микрохорургические инструменты с усовершенствованным уровнем шероховатости.

Преимущества перед аналогами: - Формирование поверхности с нулевым уровнем шероховатости (атомно-гладкая поверхность металла); - высокая степень локализации полевых эмиссий; - Обострение на атомном уровне СТМ зондов; - атравматические микрохирургические инструменты.

Стадия готовности разработки: Опробовано в режиме опытной эксплуатации

Описание разработки:
()
Разные варианты выпаривания в мощных электрических полях являются перспективными методами формирования поверхности объектов нанометрового масштаба. Особенностью метода является создание сверхвысокого напряжения электрического поля на поверхности объекта. В таких полях существует ряд технологических проблем, связанных с разрушением объектов под действием механических наряжений, повлеченных электрическим полем. Поэтому мы предлагаем применить явление высокополевого выпаривания металлов в диэлектрических жидкостях при низких температурах. Явление было выявлено и изучено совместно с University of Surrerey School of Electronic (Surrey, UK) и Hahn-Meitner-Institute (Berlin, Germany). Это явление и процесс полевого выпаривания в активных газах может применяться для контроля изменения формы объектов нанометровых размеров. Величина электрического поля при высокополевом выпаривании металлов в диэлектрических жидкостях является ниже уровня полевого выпаривания в высоком вакууме. Это открывает новые технологические перспективы для использования этого явления.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 2 шт.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua