технологии

ТРАНСФЕР ИННОВАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГАММА-ДЕТЕКТОРЫ


Назначение разработки: Разработаны и получены полупроводниковые детекторы на основе кристаллов CZT, которые обеспечивают прямое преобразование энергии излучения в электрический сигнал.

Рекомендуемая область применения: Кристаллы Cd(1-х)ZnхTe (CZT) (x = 0,1) - эффективный материал для регистрации ионизирующего (в основном, гамма-) излучения при решении задач радиационного контроля, медицинской интроскопии, мониторинга радиационного загрязнения окружающей среды, а также для использования в космической технике и астрономии.

Техническая характеристика: Рабочий объем: 0,001...1 куб.см. Диапазон энергий детектируемого гамма-излучения: 5 КэВ...1,5 МэВ. Динамический диапазон мощности экспозиционной дозы: 10 мкР/ч...1 Р/ч. Энергетическое разрешение по 137Cs: < 6%. Энергетическое разрешение по 241Am: < 10%. Эффективность детектирования при 60 КэВ (толщина детектора 2 мм): 99,27%. Диапазон рабочих температур: -40...+50 °С. Напряжение смещения: 10...1000 В. Удельное электрическое сопротивление: 1*10 в 10 степени...1*10 в 11степени Ом·см. Максимальные размеры: 10х10х10 куб.мм. Тип и материал контактов: планарные, Au либо In.

Преимущества перед аналогами: Разработанные детекторы компактны (<1 куб.см) и успешно работают при комнатных температурах, не требуя охлаждения жидким азотом, в отличии от германиевых детекторов, но при этом обладают энергетическим разрешением в гамма-спектрометрии, близким к ним.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Изготовленные полупроводниковые детекторы на основе кристаллов Cd(1-х)ZnхTe (x = 0,1) обеспечивают прямое преобразование энергии излучения в электрический сигнал. Применение особых приемов при сборе заряда и обработке выходного сигнала позволяет добиться энергетического разрешения в гамма-спектрометрии, близкого к германиевым детекторам.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа технической документации
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua

или заполнить форму:
Название организации :
Адрес :
Расчетный счет :
Банк :
МФО :
Код ОКПО :

Данные о руководителе научной организации :
Фамилия :
Имя :
Отчество :
Ученая степень, научное звание :
Телефон :
Факс :
E-mail :
Предложения по сотрудничеству (совместное патентование, совместное предприятие, продажа готового продукта, прочее) :
Страна: