Назначение разработки: Метод Киропулоса позволяет выращивать крупные кристаллы сапфира любой кристаллографической ориентации с предельно низкой плотностью дислокаций, менее 1000 см в -2 степени.

Рекомендуемая область применения: Выращивание крупных монокристаллов сапфира.

Преимущества перед аналогами: Метод Киропулоса обладает рядом достоинств по сравнению с другими расплавными методами: - метод Киропулоса, как и метод Чохральского, относится к методам свободного выращивания, когда растущий кристалл не ограничен стенками тигля; - является высокоэффективным методом, позволяющим получать объемные кристаллы оптического качества (1 и 2 категории) весом несколько десятков килограмм; - благодаря высокому вакууму в ростовой камере происходит эффективное испарение примесей из расплава, благодаря чему выращенные кристаллы обладают высокой химической чистотой 99,996%.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Технико-экономический эффект: Метод Киропулоса экономически выгоден, поскольку возможно эффективное экранирование зоны роста, сводящее потери тепла к минимуму.

Описание разработки:
()
Монокристаллы выращиваются непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры, при малых градиентах температуры, что дает возможность выращивать кристаллы с малой плотностью дислокаций. Преимущество метода Киропулоса заключается в его технической простоте и надежности. Метод Киропулоса позволяет выращивать крупные монокристаллы сапфира весом до 80 кг и более. Выращивание монокристаллов в малоградиентном температурном поле позволяет избежать возможного образования в монокристаллах различного рода включений, блоков, малоугловых границ и повышенной концентрации дислокаций. В Украине разработаны и серийно выпускаются ростовые установки с весовыми датчиками, которые позволяют выращивать кристаллы весом 25-35 кг, диаметром до 200 мм, а также кристаллы до 85 кг, диаметром до 300 мм.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Создание совместного предприятия
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua