Назначение разработки: Метод горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) позволяет выращивать сапфир любой кристаллографической ориентации в виде пластин рекордных размеров (350х500х40 мм3), недоступных другим ростовым методам.

Рекомендуемая область применения: Выращивание кристаллов сапфира.

Преимущества перед аналогами: Метод ГНК обладает рядом существенных достоинств по сравнению с другими расплавными методами: - можно выращивать кристаллы сапфира в форме пластин таких размеров, которые недоступны другим методам; - является высокоэффективным методом, позволяющим получать кристаллы оптического качества (1, 2 и 3 категории); - дает возможность использовать доступные материалы для создания температурного поля и изготовления контейнеров различных геометрических форм; - процесс затравления и кристаллизации можно контролировать визуально или при помощи оптических приборов; - благодаря большой площади расплава происходит эффективное испарение примесей (выращенные кристаллы обладают высокой химической чистотой 99,996%); - позволяет выращивать монокристаллы с низкими (< 2 кг/мм2) остаточными напряжениями, что дает возможность в ряде случаев исключить специальный технический отжиг.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Разработана усовершенствованная технология выращивания кристаллов сапфира методом ГНК в защитных газовых средах, имеющая ряд преимуществ перед известной вакуумной технологией (методом Багдасарова). Усовершенствованная технология также успешно используется для выращивания лазерных кристаллов Ti:сапфира и сцинтилляционных кристаллов редкоземельных алюминиевых гранатов (LuAG:Pr, LuAG:Ce, YAG:Ce). Усовершенствованная технология роста и корректирующий отжиг позволяют получать УФ-стойкий материал.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа технической документации
Создание совместного предприятия
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua