Назначение разработки: Разработан метод выращивания высокотемпературных монокристаллов методом Чохральского в акустическом ультразвуковом поле, что позволяет активно воздействовать на гидродинамику и газонасыщенность расплава. Методом Чохральского выращиваются сцинтилляционные монокристаллы тяжёлых оксидов CdWO4, PbWO4, PbMO4 и Тi:сапфир для лазерной техники.

Рекомендуемая область применения: Изготовление активных лазерных элементов.

Преимущества перед аналогами: Метод Чохральского имеет ряд преимуществ по сравнению с другими методами кристаллизации: - высокий уровень автоматизации технологического процесса кристаллизации позволяет проводить процесс кристаллизации при минимальном участии оператора; - возможность получения монокристаллов заданной кристаллографической ориентации, с малыми отклонениями оси роста от этого направления; - наличие высоких температурных градиентов в расплаве у фронта кристаллизации, обеспечивающих условия устойчивости гладкого фронта кристаллизации; - достаточная простота получения монокристаллов диаметром до 50 мм, имеющих высокое оптическое и структурное качество, что позволяет использовать их для изготовления активных лазерных элементов; - использование газовых сред кристаллизации с различным окислительно-восстановительным химическим потенциалом позволяет выращивать монокристаллы разного химического и стехиометрического состава; - рост кристалла из расплава происходит без контакта со стенками тигля, что даёт возможность легко менять геометрические параметры растущего кристалла и визуально контролировать его рост; - метод позволяет задавать геометрическую форму растущего кристалла путём варьирования температуры расплава и скорости вытягивания; - тепловые узлы метода Чохральского отличает простота, надёжность, низкая стоимость и экономичность при эксплуатации.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Метод Чохральского - один из наиболее популярных и широко используемых промышленных методов выращивания монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также синтетических кристаллов драгоценных камней. Технологические особенности проведения процесса определяются требованиями к геометрическим параметрам, структуре, морфологии и физико-химическим свойствам монокристаллов. На базе метода Чохральского созданы системы полной автоматизации процесса выращивания монокристаллов. Основной элемент современных автоматизированных систем - датчик веса, обладающий высокой чувствительностью, точностью и надёжностью. Это позволяет в процессе выращивания непрерывно контролировать вес растущего кристалла, его геометрические размеры и технологические параметры кристаллизационного процесса.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Создание совместного предприятия
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua