Назначение разработки: Метод Бриджмена под высоким давлением инертного газа позволяет выращивать монокристаллы веществ, обладающих повышенной летучестью компонентов расплава, какими являются соединения группы А2В6.

Рекомендуемая область применения: Выращивание высококачественных монокристаллов группы А2В6.

Техническая характеристика: Ростовая установка высокого давления: максимальный диаметр выращиваемого кристалла, мм: 50; высота кристаллической були, мм: 100...150; рабочее давление инертного газа, атм: 1...150; максимальная температура в зоне кристаллизации, °С: 1900; количество регулируемых тепловых зон: 3; температурный градиент на фронте кристаллизации, °С/см: 5...50; скорость перемещения тигля при кристаллизации, мм/час: 0,15...15.

Преимущества перед аналогами: Применение в конструкции установок двух независимых нагревателей позволило существенно улучшить кристалличность, чистоту получаемых кристаллов за счет выравнивания фронта кристаллизации, а также значительно повысить выход годного материала. Основным преимуществом метода Бриджмена является его простота.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Описание разработки:
()
Разработчиками решен ряд технологических задач, ключевых для выращивания методом Бриджмена высококачественных монокристаллов группы А2В6, таких как ZnSe и CdZnTe (CZT). К числу этих задач, в первую очередь, относится изготовление новой конструкции теплового узла ростовой установки для обеспечения оптимальных условий роста. Выполнены комплексные исследования характеристик получаемых материалов, результаты которого использованы для оптимизации ростового оборудования и технологии выращивания монокристаллов. Усовершенствование Стокбаргера связано с введением в зону кристаллизации специальной тепловой диафрагмы, позволившей увеличить величину осевого градиента температуры в несколько раз, что способствует выращиванию высококачественных монокристаллов. Созданы технологические установки для выращивания методом Бриджмена кристаллов группы А2В6: Cd(1-X)ZnXTe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, CdSe, ZnSe:Cr, Zn(1-X)MgXSe, (Zn(1-X)MgXSe):Cr.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа технической документации
Совместное доведение до промыш. уровня
Создание совместного предприятия

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua