Назначение разработки: Радиационная технология (РТ) представляет собой набор дополнительных технологических операций, интегрированных в существующее производство кремниевых дискретных приборов (транзисторы, диоды, датчики, оптоэлектронные приборы и т.п.) и интегральных микросхем всех видов (БИС, СБИС, схемы памяти и т.д.)

Рекомендуемая область применения: Производство кремниевых приборов различных типов.

Преимущества перед аналогами: - РТ применяется в виде дополнительных операций облучения (гамма-квантами или быстрыми электронами) и термообработки на промежуточных и конечных этапах изготовления приборов. Никаких изменений в основные технологические операции изготовления приборов вносить не требуется. - Применение РТ для управления временными характеристиками кремниевых приборов по сравнению с традиционным легированием дополнительными примесями дает значительно более стабильные и легко управляемые результаты. - Позволяет воздействовать на полупроводниковые структуры после завершения технологического цикла их изготовления. - Упрощает проведение исследовательских работ на этапе разработки новых изделий для определения оптимальных значений электрофизических параметров структур и электрических параметров приборов.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Технико-экономический эффект: Экономический эффект от снижения брака в производстве электронных приборов на основе кремния и от улучшения их характеристик благодаря применению РТ позволяет быстро окупить затраты на ее постановку.

Описание разработки:
()
РТ основана на способности ионизирующей радиации влиять на электрофизические параметры границы раздела полупроводник-диэлектрик полупроводниковых структур, создавать дефекты кристаллической структуры в кремниевой подложке, изменять зарядовые характеристики диэлектрических слоев. Суть РТ состоит в облучении и термообработке в определенных условиях приборных структур на кремниевых пластинах на промежуточных и конечных этапах процесса изготовления приборов. Положительные эффекты, достигаемы применением РТ: 1. Увеличение диапазона рабочих температур МДП-приборов. 2. Увеличение выхода годных приборов в производстве за счет уменьшения разброса электрофизических параметров структур по площади кремниевой подложки (пластины). 3. Повышение быстродействия и улучшение частотных характеристик дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 4. Отбраковка потенциально не надежных МДП-приборов. 5. Управление статическим коэффициентом усиления биполярных транзисторов. 6. Снижение чувствительности МДП-приборов к воздействию ионизирующей радиации. 7. Уменьшение плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний-диэлектрик. 8. Управление пороговым напряжением МДП-транзисторов. 9. Радиационное стирание памяти программируемых чипов. 10. Увеличения выхода годных изделий за счет оптимизации электрофизических параметров приборных структур.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua