Рекомендуемая область применения: Нанесение различного рода покрытий: - износостойкие покрытия с низким коэффициентом на элементах трения деталей машин и механизмов в инструментальной промышленности, машиностроении, текстильной промышленности и т.д.; - многокомпонентные износостойкие покрытия на основе нитридов, карбидов, окислов и их смесей для упрочнения прецизионного инструмента, лопаток компрессоров и турбин авиационных двигателей; - биологически инертные покрытия, оптические прозрачные, диэлектрические, коррозионно-стойкие покрытия, химически инертные покрытия.

Техническая характеристика: - Достижимый ток ионов на выходе при токе дуги 100А - 5А; - диаметр покрытия 180 мм при отклонении по толщине ± 5 %; - скорость осаждения Ti покрытия на расстоянии 150 мм от выходного отверстия - 20 мкм/час.

Преимущества перед аналогами: 1. Функциональные преимущества: Увеличение производительности оборудования в 1,5-2 раза. Равномерность покрытия ± 5% по толщине. Исключение этапов полировки после нанесения покрытия. 2. Эксплуатационные преимущества: Стабильность источника независимо от степени выгорания катода. Конструкторская простота. 3. Финансовые преимущества: Экономия затрат за счет роста производительности. Экономия затрат за счет исключения этапа полировки. Металлоемкость источника меньше, чем у криволинейных фильтров.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
В источнике плазмы реализована конфигурация транспортирующего магнитного поля, системы отражателей и ловушек макрочастиц, которая позволяет обеспечить высокое качество покрытий при существенном увеличении генерации очищенных потоков плазмы в сравнении с существующими системами фильтрации вакуумно-дуговой плазмы.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 3 шт.
имеется патентов других стран -- 4 шт.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа лицензий
Реализация готовой продукции
Совместное произв.,продажа, эксплуатация

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua