Рекомендуемая область применения: Получение Cd, Zn и Te чистотой > 99,9999 % для синтеза полупроводниковых соединений и создания гетероструктур для: - микроэлектроники - датчики ионизирующих излучений (CdTe, CdZnTe); - оптоэлектроники - сцинтилляционные датчики (Zn,Cd)WO4, (Zn,Cd)MoO4, фотоприемные устройства ИК диапазона (CdHgTe).

Техническая характеристика: - Масса исходной загрузки материала - 2,5 кг; - процент выхода продукта - 90% от исходной загрузки; - производительность устройства - 300…400 г/час; - мощность нагревателя - 1,0 кВт; - общая мощность - до 3 кВт; - размеры устройства с нагревателем и экранами: высота - 450 мм; диаметр - 240 мм; вес - 5 кг.

Преимущества перед аналогами: - Высокая эффективность очистки (с 99,9…99,99 % до > 99,9999 %); - повышенный выход годного продукта (90 % от исходной загрузки).

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Устройство позволяет получать из исходных Cd, Zn и Te технической чистоты (99,9…99,99 %) конечные продукты чистотой > 99,9999 % с высоким выходом годного продукта и высокой производительностью. Устройство для глубокой очистки Cd, Zn и Te основано на рафинировании материала дистилляцией в вакууме. Устройство позволяет проводить поэтапную очистку от легколетучих примесей с фильтрацией и очистку от труднолетучих примесей с применением геттерного фильтра, что обеспечивает более глубокую очистку кадмия, цинка и теллура от металлических примесей, в том числе и от примесей внедрения (N, O, C) до уровня 2…5·10 в -5 степени мас. %.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua