Рекомендуемая область применения: Получение Ga, In и Pb чистотой > 99,9999 % для синтеза полупроводниковых соединений и создания гетероструктур для: - микроэлектроники - интегральные схемы (GaAs); - оптоэлектроники - сцинтилляционные датчики PbWO4, PbMoO4 для поиска двойного beta-распада и частиц темной материи; - материалов СВЧ - электроники (GaAs, GaN, InP, InAs, InSb, GaAlAs/GaAs, AlGaN/GaN, InGaAs/InP и др.)

Техническая характеристика: - Масса исходной загрузки материала - 2,3 кг; - производительность устройства - 300…400 г/час; - процент выхода продукта - 90% от исходной загрузки; - размеры устройства с нагревателем и экранами: высота - 350 мм; диаметр - 200 мм; вес - 4 кг; - материал для изготовления тигля и конденсатора - графит марки МПГ-7; нагревателя и экранов - графит марки МГ-1 ОСЧ 7-3, ТУ 48-20-9082; - рабочая температура - 950…1350 °С; - контроль температуры тигля и конденсатора - термопары ВР-5/20; - вакуум в холодном и горячем состоянии - 1,33 ·10 -3 степени Па; - реализация устройства на базе стандартных печных агрегатов типа СЗВН-0,55.4,5/14-И1.

Преимущества перед аналогами: - Высокая эффективность очистки (с 99,9…99,99 % до > 99,9999 %); - повышенный выход годного продукта (90 % от исходной загрузки); - высокая производительность (300…400 г/час).

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Устройство позволяет из исходных Ga, In и Pb технической чистоты (99,9…99,99 %) получать конечные продукты чистотой > 99,9999 % с высоким выходом годного продукта и высокой производительностью. Устройство для глубокого очистки Ga, In и Pb основано на рафинировании материала дистилляцией в вакууме. Устройство позволяет проводить одновременную очистку от труднолетучих примесей путем испарения из тигля основного металла и очистку от легколетучих примесей путем выдержки конденсата при высокой температуре в процессе очистки, что обеспечивает более глубокую очистку галлия, индия и свинца от металлических примесей и повышает производительность процесса рафинирования.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua