УСТРОЙСТВО ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ ИЗОТОПОВ Cd, Zn и Te
Назначение разработки:
Глубокая очистка изотопов 106Cd, 116Cd, 64Zn, 67Zn, 128Te, 130Te и др.
Рекомендуемая область применения:
Получение радиочистых изотопов Cd, Zn и Te по регламентируемым примесям для различного применения:
- разработка сцинтилляционных низкофоновых детекторов (116CdWO4, 106CdWO4), 128Te, 130Te;
- фотоядерные технологии производства радионуклидов медицинского назначения (64Zn, 67Zn).
Техническая характеристика:
- Масса исходной загрузки материала - 250 г;
- производительность устройства - 50…80 г/час;
- повышенный выход годного продукта - > 96 % от исходной загрузки;
- размеры устройства с нагревателем и экранами:
высота - 400мм;
диаметр - 140 мм;
вес - 3 кг;
- материал для изготовления тигля и конденсатора - графит марки МПГ-7; нагревателя и экранов - графит марки МГ-1 ОСЧ 7-3, ТУ 48-20-9082;
- рабочая температура - 350…650 °С;
- вакуум в холодном и горячем состоянии - 1,33·10 в -3 степени Па;
- реализация устройства на базе стандартных печных агрегатов типа СЗВН-0,55.4,5/14-И1.
Преимущества перед аналогами:
- Высокая эффективность очистки;
- повышенный выход годного продукта (> 96 % от исходной загрузки);
- минимальные невозвратные потери материала (< 1 %).
Стадия готовности разработки:
Внедрено в производство
Описание разработки:
() Устройство позволяет получать радиочистые изотопы Cd, Zn и Te с содержанием примесей:
Ni, C < 0.2 ppm;
Fe, Mg, Mn, Cr, V, Co < 1 ppm;
Th, U, Ra, K, Rb, In, La, Lu, Sm < 0,1 ppm;
c минимальными невозвратными потерями из-за высокой стоимости этих материалов.
Устройство для глубокой очистки изотопов Cd, Zn и Te основано на рафинировании материала дистилляцией в вакууме. Устройство позволяет проводить поэтапную очистку изотопов путем фильтрации и дистилляции с возможным применением геттерного фильтра, что обеспечивает глубокую очистку изотопов кадмия, цинка и теллура от регламентируемых примесей.
Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике
Возможность передачи за рубеж:
Реализация готовой продукции
Фотоприложение
Cтрана
Украина
За дополнительной информацией обращайтесь: E-mail: gal@uintei.kiev.ua
|