Назначение разработки: Предназначено для подсоединения стандартных коаксиальных трактов измерительных приборов к контактным площадкам бескорпусных GaAs полевых транзисторов.

Рекомендуемая область применения: В научных исследованиях при изучении параметров малошумящих и маломощных транзисторов в диапазоне температур 80 - 350 К.

Техническая характеристика: Техническая характеристика: - диапазон частот, ГГЦ - 0,1-12; - вносимые потери в рабечей полосе 10%, не более, дб - 0,4; - развязка по сигнальному тракту между входом и выходом, не менее, дб - 25; - КСВН входа/выхода в рабочей полосе 10%, не более, ед. - 1,3.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Устройство измерительное выполнено на основе микрополосковых линий, нанесенных на керамике из окиси алюминия. На концах микрополосковых линий закреплены сигнальные микрозонды (контактные иглы) из бериллиевой бронзы. Земляные (истоковые) микрозонды монтируются непосредственно на выступ в корпусе, разделяющий вход испытуемого транзистора. Индуктивность микрозондов 0,3 нГн. Размеры контактных площадок транзисторов не менее 80х80 мкм. Используется локальное охлаждение испытуемого транзистора парожидкостным потоком азота, подводимым непосредственно к транзистору. Изменение степени охлаждения испытуемого транзистора осуществляется путем изменения потока азота, подводимого к образцу.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua