Назначение разработки: Полупроводники CdTe с наноструктурированною поверхностью перспективные для создания быстродействующих фотодиодов, оптических модуляторов, солнечных элементов и других приборов фотоники.

Рекомендуемая область применения: При изготовлении полупроводников.

Преимущества перед аналогами: В предлагаемой разработке образование наноразмерных структур может происходить как в твердой, так и в жидкой фазах за счет формирования дефектно-деформационных континуумов при облучении материала.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Лазерное облучение и вызванная им действие, в частности, нагрева, оптического возбуждения, деформационных, ударных и поверхностных волн образует в твердых телах высокую концентрацию точечных дефектов. При превышении критической концентрации происходит их кластеризация и образование островков нанометровых размеров. Этот процесс возникает при облучении одиночными наносекундніми импульсами рубинового лазера кристалов CdTe. С увеличением плотности мощности лазерных импульсов размеры наночастиц сначала увеличиваются, а затем уменьшаются, при этом в зависимости от параметров импульса они упорядочиваются в различные структуры рельефа.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua