Назначение разработки: Предназначено для измерения магнитных показателей.

Рекомендуемая область применения: Метрология.

Техническая характеристика: Диапазон напряжения измеряемых магнитных полей ....... 0 - 120 Эрстед. Пространственное разрешение при локальном измерении напряженности магнитного поля ................................. <1 мкм.

Преимущества перед аналогами: - измерения напряженности предельно слабых магнитных полей; - локальное измерения напряженности пространственно неоднородных магнитных полей с высоким разрешением; - высокая точность измерения, обусловленная пороговым характером формирования магнитного зародыша.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Описание разработки:
()
Базируется на оборотном изменении поля зародышеобразования материала. Фотомагнитные датчики в процессе локального облучения линейно поляризованным излучением и регистрации длительности облучения, необходимого для формирования магнитного зародыша в измеряемом магнитном поле.

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua