Назначение разработки: Оптическая и лазерная литография, голография, производство дифракционных оптических элементов (дифракционных решеток, линз Френеля и их матриц), нанооптичних приборов (субхволновых решеток с периодом до 100 нм), оптических дискив- оригиналов и радужных голограмм. Для этих фоторезистов свойственно большое значение показателя преломления (2.3-3, а иногда и выше), они стабильны и не требуют какого-либо термической обработки, прозрачны в инфракрасной (ИК) области спектра (от 600 нм до 12-15 мкм). Такие характеристики позволяют использовать халькогенидных фоторезисты для изготовления эффективных дифракционных решеток, линеек ИК-микролинз, микролинз для оптических волокон в сочетании с двух- и трирозмирнимы фотонных кристаллов.

Рекомендуемая область применения: В фотолитографии, в голографии, в производстве дифракционных оптических элементов.

Техническая характеристика: Разрешение - собственная разрешающая способность слоя Халькогениды - 1 нм; Чувствительность к - ультрафиолет., Видимая, ближняя ИК область спектра, электронные и ионные потоки; Величина чувствительности: при записи голограмм и фотолитографии - 5-50 см2/Дж; при лазерной литографии - до 300 см2/Дж; Метод нанесения - термическое испарение в вакууме; Послеэкспозиционная обработка - жидкое вытравливание.

Преимущества перед аналогами: По сравнению с существующими аналогами разработан халькогенидных фоторезист характеризуется термической стойкостью (до 400°C), отсутствием усадки при писляэкспозицийной обработки, механической прочностью и химической стойкостью. Технологичность использования неорганических халькогенидных фоторезистов, поскольку халькогенидных пленки можно осаждать очень однородными как по толщине, так и по составу и они могут применяться в тех же технологических процессах, и функциональных слоях в микроэлектронике.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Предложены неорганические фоторезисты в виде тонких пленок халькогенидного стекла, нанесенного на подложку с помощью термического испарения в вакууме. Известно, что физико-химические свойства таких слоев могут изменяться под действием света или электронных потоков. Используя разработанные селективные травники, получается положительный или отрицательный резистивный эффект: скорость растворения экспонированного фоторезиста значительно выше или ниже, чем неэкспонированного. Халькогенидные фоторезисты могут наноситься как на плоские подложки, так и на изделия сложной формы. Исследование механизмов фотостимулированных преобразований позволило разработать тонкопленочные фоточувствительные среды с уникальными характеристиками. Разработаны также технологические процессы использования этих неорганических фоторезистов в фотолитографии, в производстве дифракционных оптических элементов (дифракционных решеток, линз Френеля и их матриц), в голографии (для записи рельефно-фазовых голограмм), для прямого мастеринга оптических дисков.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 1 шт.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа лицензий
Продажа технической документации
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua