Назначение разработки: Предназначено для модификации поверхности приложенным напряжением.

Рекомендуемая область применения: Радио- и физико-технические установки.

Техническая характеристика: - минимальный рабочее давление: р = 3-4, 10-10 Тор; - разрешение в плоскости образца - 0,3 нм, по высоте - 0,01 нм; - максимальный размер растра - 1х1 мкм2; - туннельная спектроскопия; - оригинальное программное обеспечение для управления микроскопом и обработки изображений; - напыления пленок контролируемой толщины; - оже-спектроскопия элементного состава; - термическая обработка образцов в вакууме; - шлюзования (замена) образцов и вистер СТМ без нарушения сверхвысокого вакуума; - возможность модификации поверхности приложенным напряжением.

Стадия готовности разработки: Опробовано в режиме опытной эксплуатации

Описание разработки:
()
Принцип работы прибора основан на квантово-механическом явлении прохождения электрона через потенциальный барьер (туннелирование), высота которого превышает полную энергию электрона.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua