Назначение разработки: Предназначен для исследования подповерхностной неоднородности полупроводниковых материалов и структур.

Рекомендуемая область применения: Обратимая диагностика непрозрачных объектов. Диагностики материалов и изделий электронной техники: - обратимая визуализация подповерхностных неоднородностей теплофизических свойств, а именно: визуализация дефектов и структурных нарушений типа полирование царапин, трещин, пустот, нарушений в цельности покрытия и т.п.; - визуализация неоднородностей в эпитаксиальных слоях и визуализация их топологии; - визуализация областей с различными концентрациями примеси.

Техническая характеристика: Источник излучения: лазер ЛГН-503. Основная рабочая длина волны, мкм: 0.488. Диаметр фокусного пятна, мкм <10. Способ модуляции: гармоничный. Модулятор: электрооптический. Частота модуляции: 2kГц - 150 кГц. Способ регистрации ФА сигнала - пьезоэлектрический. Величины - регистрируются амплитуда и фаза ФА сигнала. Сканирование образца по X-Y-координатам: - с шаговым приводом от 10 мкм до 10 мм; - с дискретностью: 10 мкм. Максимальная зона обзора: 20 х 20 мм. Вывод изображений - табличный, графический, полутоновый. Комплектация: - система микропозиционирования, - оптоакустический модулятор, - лазер ЛГН-503, - регистратор сигнала, - компьютер.

Преимущества перед аналогами: Одновременное использование пьезоэлектрического и фотоэлектрического способов регистрации отклика. Глубина визуализации: на уровне 5 - 70 мкм.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Результаты испытаний
Отвечает технической характеристике

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua