Назначение разработки: Метод предназначен для использования в промышленности при изготовлении светоизлучающих приборов с квантовыми ямами на основе соединений А2В6 ,с использованием молекулярно-пучковой эпитаксии.

Рекомендуемая область применения: В промышленности при изготовлении светоизлучающих приборов.

Преимущества перед аналогами: Впервые предложено введение тонкого слоя в упруго напряженную квантовую яму на основе соединений А2В6 для улучшения ее люминесцентных характеристик.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Описание разработки:
()
Метод заключается в модификации структуры упруго напряженной квантовой ямы на основе тройного соединения А2В6 путем введения в середину квантовой ямы, в процессе ее выращивания, тонкого слоя бинарного соединения А2В6. Этот слой имеет такую постоянную решетки, что его введение существенно увеличивает энергию упругих деформаций в квантовой яме. При этом происходит их частичная релаксация путем перераспределения компонентов материала квантовой ямы, тонкой вставки и барьера. Это приводит к тому, что флуктуации состава раствора квантовой ямы становятся более однородными, а именно: возрастает количество мелких флуктуаций и уменьшается количество глубоких. В результате возрастает интенсивность и уменьшается полуширина полосы низкотемпературной люминесценции квантовой ямы.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua