Назначение разработки: Метод предназначен для использования в промышленности при изготовлении фотодетекторов и светоизлучающих приборов.

Рекомендуемая область применения: В промышленности (при изготовлении фотодетекторов и светоизлучающих приборов).

Техническая характеристика: Электрическое поле Эд - 50-100 В/см; температура Tд - 300-4000с; время - несколько десятков минут tд.

Преимущества перед аналогами: Преимуществом предложенного метода является то, что приложения электрического поля существенно ускоряет процесс легирования и очистки, что позволяет значительно снизить его температуру и избежать создания собственных дефектов. Метод позволяет также определять параметры диффузии примесей в различных кристаллографических направлениях. Метод проверялся на высокоомных кристаллах CdS, которые легувались медью и серебром, что вводились в электрод, который служил анодом, а также очищались от этих примесей. Было обнаружено, что скорость диффузии меди в направлении, перпендикулярном с-оси кристалла, больше, чем в направлении, параллельном этой оси, тогда как для серебра имеет место обратное соотношение. Таким образом, выбор соответствующего направления диффузии позволяет дополнительно ускорить процесс легирования или очистки. Новизна метода заключается в использовании дрейфа дефектов и примесей для очистки кристаллов А2В6, а также в использовании определенного кристаллографического направления приложения электрического поля, позволяет существенно ускорить процессы очистки и легирования.

Стадия готовности разработки: Готово к внедрению

Описание разработки:
()
Метод основан на использовании дрейфа примесей в электрическом поле. Для этого на конце кристалла наносятся электроды, к которым прикладывается постоянное поле. Под действием этого поля отрицательно заряженные дефекты и примеси накапливаются у анода, а положительно заряженные - у катода, что приводит к очищению объема кристалла. Для легирования кристалла в один из электродов вводится нужная примесь, которая под действием электрического поля "втягивается" в кристалл. Легирования соединений А2В6 осуществляется, как правило, диффузией с поверхности или ионной имплантацией.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua