Назначение разработки: Наноструктуры с кремниевыми и германиевыми квантовыми точками предназначены для создания излучателей света на кремнии; решения задач интеграции элементов опто- и микроэлектроники; создание элементов энергонезависимой памяти и объектов исследования квантово-размерного эффекта в непрямозонных полупроводниках (Si, Ge).

Рекомендуемая область применения: Производство элементов наноэлектроники.

Техническая характеристика: Луч: длина волны - 1.06 мкм, плотность энергии в импульсе - 20 Дж/см2, длительностью импульса 10 нс частотой 25 Гц скорость нанесения пленок - 5-10 нм/мин, толщины пленок - 50-500 нм. N2 лазер: излучением: ?=337нм, ?имп=8нс. минимальная продолжительность измерительного строба - 250 нс. спектры фотолюминесценции с временным разделением перекрывают диапазон энергий - 1.4-3.2 эВ времена релаксации - 50 нс-12 мкс.

Преимущества перед аналогами: Аналоги отсутствуют.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Описание разработки:
()
Метод лазерного осаждения для получения фотолюминесцентных пленок с кремниевыми и германиевыми квантовыми точками. Луч IАГ: Nd3 + лазера, работающего в режиме модулированной добротности сканирует Si (Ge) мишень. Осаждения на подложку происходит в вакуумной камере с частиц эрозионного факела. Квантово-размерный эффект обусловливает фотолюминесценцию в видимой области спектра при комнатной температуре в непрямозонных полупроводниках - кремнии и германии. Разработан метод исследования спектров фотолюминесценции с временным разделением. Сигнал фотолюминесценции регистрируют в режиме счета фотонов. Возбуждение фотолюминесценции осуществляют излучением N2 лазера.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 3 шт.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua