Назначение разработки: Предлагается создание технологии синтеза поликристаллического GaAs и технологии выращивания электронного GaAs для нужд мобильной и спутниковой связи и планшетных компьютеров.

Рекомендуемая область применения: Нанотехнологии. Мобильный и спутниковая связь и в планшетных компьютерах.

Преимущества перед аналогами: Получение малодислокацийних кристаллов GaАs является сложным технологическим заданием, до настоящего времени практически нерешенным.

Стадия готовности разработки: Опробовано в режиме опытной эксплуатации

Описание разработки:
()
В рамках проекта разработана установка "Полярон" для экспрессного интегрального контроля внутренних напряжений в пластинах GaAs с применением инфракрасной видеосистемы, что позволяет проводить мониторинг технологического процесса. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований условий тепломассопереноса в установках "Арсенид-1" по выращиванию GaАs методом Чохральского за LEC-технологии, разработаны: - модель и процедуру эксперимента по определению температур по поверхности экрана теплового узла ростовой камеры; - математическая модель, связывающая геометрические параметры теплового узла с угловыми коэффициентами тепловых потоков с поверхности слитка позволяет оптимизировать тепловой режим; - экспрессная методика определения и представления линий изонапряжения в плоскости пластины GaАs; Разработанный тепловой узел установки "Арсенид-1А" позволил снизить осевые температурные градиенты до 51...53 К/см и обеспечить равномерное распределение температуры по оси выращиваемого слитка. Разработана методика и устройство "ТАУ-1" для определения значения параметра mt в исследуемом образце. Погрешность методики составила 2%. Устройство метрологически аттестовано и внедрено в производство, кроме того, разработано и внедрено в производство программное обеспечение АСУ ростовой установкой "Арсенид-1", позволяет в зависимости от категории пользователя (аппаратчик, технолог, наладчик) реализовать функции управления технологическим процессом.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua