НАНО- МИКРОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ОКСИШПИНЕЛЬНЫЕ КЕРАМИЧЕСКИЕ МАТРИЦЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО И ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ВИДИМЫЙ СВЕТ
Назначение разработки:
Разработаны новые подходы в способах получения нано- и микроструктурированных оксишпинельних матриц, которые активированы ионами переходных 3d металлов в виде порошков, пленок, керамики, 3D экранов для преобразователей света и сцинтилляционных устройств.
Рекомендуемая область применения:
Фотоника, оптика, системы освещения, радиационный контроль, системы хранения и отображения информации.
Преимущества перед аналогами:
- Более низкая стоимость по сравнению с фосфатными, силикатными, фторидными матрицами, в которых используются активаторы на основе редкоземельных ионов;
- в наличии комплекс технологического оборудования для мелкосерийного производства;
- высокая стабильность параметров и устойчивость к радиации;
- пригодны к использованию в дискретной и гибридной схемотехнике, а также для получения приборов высокого разрешения.
Стадия готовности разработки:
Изготовлен опытный образец
Описание разработки:
() Разработка решает проблему получения эффективных преобразователей УФ и ИК излучения, систем хранения и отображения информации, светоконвертирующи люминофорных систем, детекторов ионизирующего излучения.
Основные свойства и параметры:
- преобразование ультрафиолетового и инфракрасного излучения (антистоксовая люминесценция) в излучение видимого оптического диапазона (от 400 нм до 750 нм);
- квантовый выход соразмерный с фосфатными, силикатными, фторидными матрицами, которые активированы редкоземельными ионами;
- управление спектром люминесценции в диапазоне от 400 нм до 1200 нм путем мезоскопической структурной перестройки керамической матрицы и изменения концентрации активаторов (переходных ионов различных типов);
- диапазон рабочих температур - от -45 до 150 °С.
Результаты испытаний
Требуется доработка
Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов Совместное доведение до промыш. уровня
Фотоприложение
Cтрана
Украина
За дополнительной информацией обращайтесь: E-mail: gal@uintei.kiev.ua
|