технологии

ТРАНСФЕР ИННОВАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

МАССИВНЫЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ (CdTe) И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-ЦИНКА (CdZnTe)


Назначение разработки: Украинский университет разработал и предлагает поставки на заказ монокристаллических слитков нелегированного и легированного СdTe и CdZnTe, а также вырезанных из них пластин нужных размеров с механически или химико-механически полированными гранями ориентацией (110) и (111).

Рекомендуемая область применения: Оборонная промышленность, область безопасности; производство техники для медицинской диагностики, ядерной медицины и экологического мониторинга; отрасль космических исследований.

Техническая характеристика: - Диаметр: до 20 мм (возможно выращивание кристаллов большого диаметра); - плотность ростовых дислокаций: Ndd < 10 в 5 степени см в -2 степени; - пропускание в спектральном диапазоне длин волн 1.5-25 мкм: T > 60%; - электрические и транспортные характеристики (для детекторного CdTe: Cl):    удельное сопротивление при комнатной температуре: р > 10 в 8 степени Ом·см;    подвижность при комнатной температуре: для дырок µh = 50-80 кв.см/В·с; для электронов µe = 400-800 кв.см/В·с;    время жизни при комнатной температуре: для электронов Тe = 2-7 мкс.

Преимущества перед аналогами: - Выращенный слиток состоит из единого монокристаллического блока; - низкий уровень фоновых неконтролируемых примесей; - меньшие отклонения от стехиометрического состава; - выше равномерность распределения легирующих примесей и меньший разброс параметров в объеме кристалла.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Массивные монокристаллы СdTe и твердых растворов CdZnTe используются в качестве материала для изготовления активных элементов неохлаждаемых датчиков высокоэнергетического (Х и y) излучения, оптических окон ИК диапазона, подложек для эпитаксии слоев CdHgTe для производства матриц пассивных приемников ИК и ТГц диапазонов спектра, фоторефрактивных компонентов и рабочих элементов оптико-региструющих систем. Выращиваются модифицированным методом физического транспорта через газовую фазу (PVT method).

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua

или заполнить форму:
Название организации :
Адрес :
Расчетный счет :
Банк :
МФО :
Код ОКПО :

Данные о руководителе научной организации :
Фамилия :
Имя :
Отчество :
Ученая степень, научное звание :
Телефон :
Факс :
E-mail :
Предложения по сотрудничеству (совместное патентование, совместное предприятие, продажа готового продукта, прочее) :
Страна: