МАССИВНЫЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ (CdTe) И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-ЦИНКА (CdZnTe)
Назначение разработки:
Украинский университет разработал и предлагает поставки на заказ монокристаллических слитков нелегированного и легированного СdTe и CdZnTe, а также вырезанных из них пластин нужных размеров с механически или химико-механически полированными гранями ориентацией (110) и (111).
Рекомендуемая область применения:
Оборонная промышленность, область безопасности;
производство техники для медицинской диагностики, ядерной медицины и экологического мониторинга; отрасль космических исследований.
Техническая характеристика:
- Диаметр: до 20 мм (возможно выращивание кристаллов большого диаметра);
- плотность ростовых дислокаций: Ndd < 10 в 5 степени см в -2 степени;
- пропускание в спектральном диапазоне длин волн 1.5-25 мкм: T > 60%;
- электрические и транспортные характеристики (для детекторного CdTe: Cl):
удельное сопротивление при комнатной температуре: р > 10 в 8 степени Ом·см;
подвижность при комнатной температуре: для дырок µh = 50-80 кв.см/В·с;
для электронов µe = 400-800 кв.см/В·с;
время жизни при комнатной температуре: для электронов Тe = 2-7 мкс.
Преимущества перед аналогами:
- Выращенный слиток состоит из единого монокристаллического блока;
- низкий уровень фоновых неконтролируемых примесей;
- меньшие отклонения от стехиометрического состава;
- выше равномерность распределения легирующих примесей и меньший разброс параметров в объеме кристалла.
Стадия готовности разработки:
Внедрено в производство
Описание разработки:
() Массивные монокристаллы СdTe и твердых растворов CdZnTe используются в качестве материала для изготовления активных элементов неохлаждаемых датчиков высокоэнергетического (Х и y) излучения, оптических окон ИК диапазона, подложек для эпитаксии слоев CdHgTe для производства матриц пассивных приемников ИК и ТГц диапазонов спектра, фоторефрактивных компонентов и рабочих элементов оптико-региструющих систем. Выращиваются модифицированным методом физического транспорта через газовую фазу (PVT method).
Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль
Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов Реализация готовой продукции
Фотоприложение
Cтрана
Украина
За дополнительной информацией обращайтесь: E-mail: gal@uintei.kiev.ua
|