Назначение разработки: Разработанные устройства могут быть использованы при проектировании различных новейших высокоэффективных устройств обработки сигналов на основе кристаллоподобных структур (КС) для информационно-телекоммуникационных систем.

Рекомендуемая область применения: Разработка предназначена для предприятий радиоэлектронного профиля и обеспечивает улучшение параметров информационно-телекоммуникационных систем.

Техническая характеристика: - Средняя частота: 1-10 ГГц. - Относительная полоса пропускания: 2,60 %. - Подавление в полосах подавления: от -20 до -60 дБ. - Вносимые потери: от 1,5 до 2,5 дБ.

Преимущества перед аналогами: Импедансный подход к моделированию волновых структур, который развивают авторы, существенно упрощает моделирование и позволяет получить принципиально новые научные знания, связанные со свойствами сложных волновых структур, методами анализа и синтеза таких структур. Использование этих физико-математических основ для ЭК на основе предложенных авторами технических решений высокоэффективных ЭК обеспечивает разработку высокоизбирательных устройств обработки сигналов с улучшением подавления сигналов на 10-20 дБ и уменьшением их размеров в 2-3 раза по сравнению с аналогами.

Стадия готовности разработки: Изготовлен опытный образец

Описание разработки:
()
Разработаны теоретические основы аподизированных кристаллоподобных структур (КС), включающих обобщенные модели анализа и методы аподизации КС, предназначенные для анализа сложных КС. Одними из таких устройств являются миниатюрные микрополосные фильтры СВЧ-диапазона на основе электромагнитных кристаллов (ЭК) и отдельных ЕК-неоднородностей. Разработанные конструктивные решения ЭК и устройства на их основе защищены 9 патентами Украины на изобретение и полезную модель.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 9 шт.

Результаты испытаний
Готово к внедрению

Возможность передачи за рубеж:
Продажа лицензий
Совместное доведение до промыш. уровня

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua